屹晶微原厂李生

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3年前

EG1252替代NCP1252，2电流模式PWM控制器适用于正激和反激电源

特性  优良的 EMI 特性  外围器件少  外置 NTC 温度保护功能  输入欠压保护  光耦开路保护  最大占空比 50%  电流模式控制  外置电阻可...

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3年前

EG6599替代L6599，菱齐3103，集成600V半桥驱动LLC谐振控制器

特性  50％占空比，变频控制谐振半桥  高精度振荡器，工作频率高达 500kHz  两级 OCP，频移和锁存关掉  与 PFC 控制器接口  锁存禁用输入  ...

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3年前

EG7500推挽半桥PWM控制芯片

1.特点  工作电压范围宽：+7V ～ +40V  内置 5.0V 基准电压，精度±1%  内置双误差放大器  未级输出级的最大电流可达 200mA  有死区时间...

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3年前

EG3525S,替代SG3525、UC3525推挽半桥PWM控制芯片

1.特点  工作电压范围宽：+8V ～ +35V 内置 5.1V 基准电压，精度±1%  振荡频率范围宽：100Hz～ 500KHz  具有振荡器外部同步功能  ...

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3年前

EG1166，集成600V半桥双管正激电源芯片

特性  双管正激专用电源芯片。  外接一个电容可设置工作频率（ 0-300KHz）  内置 5V 基准电压  UVLO 欠压锁定功能：  Vcc 引脚端的开启电压...

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3年前

EG1165，72V15A铅酸电池充电器方案，集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片

特性  半桥 PWM 控制芯片，集成 600V 半桥驱动芯片  外接一个电容可设置工作频率（ 20Hz-500KHz）  内置 5V 基准电压  UVLO 欠压锁定...

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3年前

EG1164，同步整流升压芯片，4-600V高压大电流方案，24V10A，48V5A

特性  升压同步整流方案，支持高压大电流方案  外接一个电容可设置工作频率（ 0-300KHz）  2 脚 EN 外部电阻可灵活调整启动、关闭电压  UVLO 欠压...

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3年前

EG1163,10-600V，同步整流降压芯片，支持对电池恒流恒压充电，12V10,12V20A

特性  降压同步整流方案，支持高压大电流方案。  外接一个电容可设置工作频率（ 0-300KHz）  UVLO 欠压锁定功能：  Vcc 引脚端的开启电压 16.5...

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3年前

EG1162,4-600V同步整流降压芯片，外置MOS，支持高压大电流，5V20A

特性  降压同步整流方案，支持高压大电流方案。  外接一个电容可设置工作频率（ 0-300KHz）  2 脚 EN 外部电阻可灵活调整启动、关闭电压  UVLO 欠...

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3年前

EG1151，单向升降压芯片，7-150输入，外置MOS，支持高压大电流方案15V10A

特性  宽输入电压范围：7V——150V  高效率，可高达 95%  欠压保护  过温保护  支持对蓄电池充电  输出短路保护  封装形式：QFN32 描述 ...

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3年前

EG1198，电动车仪表盘专用芯片，120V1.5A降压芯片，内置MOS

特性  高性价比  宽电压输入范围 10V 至 120V  最大输出电流 1.5A  集成功率 MOS 管  外围器件少  输出短路保护  温度保护  逐周...

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3年前

EG1196S，120V，外置一颗MOS，可做12V10A、48V3A，DC-DC降压芯片

特性  通过使能脚关断实现零功耗  宽电压输入范围 10V 至 120V  外围器件少  配合外置 MOS 管实现 10A 以上的输出电流  输出短路锁住保护 ...

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3年前

EG1192L，100V，3A降压芯片，内置MOS带使能，适用电池保护板

特性  通过使能脚关断实现零功耗  宽电压输入范围 10V 至 100V  最大输出电流 3A  集成功率 MOS 管  外围器件少  输出短路保护  温度保...

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3年前

EG1192H，120V 2A降压芯片，内置MOS带使能脚，适用于电池保护板

特性  通过使能脚关断实现零功耗  宽电压输入范围 10V 至 120V  最大输出电流 1.5A  集成功率 MOS 管  外围器件少  输出短路保护  温...

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3年前

EG4427替代UCC27324,IRS4427,TC4427，带SD功能20V低侧双路驱动芯片

1. 特性 ◼ 适应 5V、3.3V 输入电压 ◼ VCC 电压范围 3V-20V ◼ 输出电流能力 IO+/- 1.5A/1.5A ◼ 输入输出延时短 ◼ SD 输...

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3年前

EG27325替代UCC27324,IRS4427,TC4427,MC33152，带SD功能20V低侧双路驱动芯片

1. 特性  适应 5V、3.3V 输入电压  VCC 电压范围 2.8V-20V  输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A  输入输出延时短  SD 输...

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3年前

EG27324替代UCC27324,IRS4427,TC4427,MC33152，带SD功能20V低侧双路驱动芯片

1. 特性  适应 5V、3.3V 输入电压  VCC 电压范围 2.8V-20V  输出电流能力 IO+/- 2A/2.5A  输入输出延时短  SD 输...

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3年前

EG27519替代UCC27519，20V低侧单路驱动芯片

1. 特性  低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的替代产品  VDD 电压范围 4V-20V  输出电流能力 IO+/- 4A/4A ...

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3年前

EG27517替代UCC27517、FAN3100，20V低侧单路驱动芯片

1. 特性  低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的替代产品  VDD 电压范围 4V-20V  输出电流能力 IO+/- 4A/4A ...

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个人成就

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加入于

2022-09-20