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張馨藝
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01_nand物理结构
描述 NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被存储在浮栅中,在无电源供应情况下仍然可以保存
07_nand之写操作指令
Page Program(80h-10h) 页编程,将一页数据传输到页缓冲区,然后进行编程。 80h+6addr+数据n+10h。8
物联网:关于Nand flash读写范围的问题
1、擦除过程:擦除过程是将0变成1的过程,即充电的过程(比如SLC中,当低于某个电压值表示0,高于这个电压值则表示1;而对于MLC来说可以有多个阈值,所以可以保存更多bit)。擦除过程是按块进行的,但启始地址是页地址,不过擦除过程在内部是有边界对齐的,也就是说当擦除启始地址不是…
嵌入式入门8(Nand Flash)
上一章节中,我们已经介绍了Nor Flash原理和操作流程,这一章开始学习Nand Flash。 JZ2400中Nand Flash电路图如下所示: 它利用I/O0~I/O7这8条数据线,即传输数据,
NAND Flash基础知识简介
NAND Flash是一种非易失存储介质(掉电后数据不会丢失),常见的U盘、TF卡/SD卡,以及大部分SSD(固态硬盘)都是由它组成的。 本文主要介绍其组成及工作原理。