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11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”，再次展现了

低电容设计可防止信号劣化，出色的抗浪涌能力可提高车载电子设备的保护性能 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向随着自动驾驶和高级驾驶辅助系统 （ADAS）的发展而需求不断增长的高速车载

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Vishay 推出采用 PowerPAK® 10x12 封装的新型 40 V TrenchFET® 四代 N 沟道功率 MOSFET，器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。

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