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英飞凌推出3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模块，具备高电流密度、低损耗及创新.XT互连技术，提升系统效率与可靠性，超越传统IGBT性能。

在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。

英飞凌宣布携手NVIDIA Technology（简称：NVIDIA英伟达，下同）加速人形机器人领域的研发进程。此次技术整合将英飞凌在微控制器、传感器及智能执行器方面的专业技术。。。

由于第四桥臂的引入，对比三相三桥臂变换器，负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3, ±1Udc/3, 0)降低到三个(±Udc, 0)，因此自然的，相同电路参数下，输出电流的谐波畸变度将会更大。。。

英飞凌XMC1302无电解电容变频方案提升电机控制性能，降低成本，延长寿命，适用于冰箱等家电。。。。

之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性，今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。

上一篇我们介绍了英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2的产品特性（参考文章：CoolSiC™ MOSFET G2性能综述）。那么在实际应用中，G2如何进行正确的选型呢？接下来两篇文章会和大家仔细探

英飞凌新发布了CoolSiC™ MOSFET Gen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。

随着电动汽车（EV）行业的快速发展，电池管理系统（BMS）的重要性日益凸显。BMS作为电动汽车中的核心组件，负责监控电池的状态，确保电池安全、高效地运行。