知识星球里的学员问：在铜互联中，需要用到低k介质进行电气隔离，如氧化硅等，为什么？如何能够降低氧化硅的k值？
如图，红色的为铜，层与层之间，同层的金属与金属之间填充了低k的介质。
为什么要填充低k介质，而不是高k？
主要是为了降低互连层的RC 延迟。降低RC延迟可以通过降低电容的办法来实现。互连层的电容的计算方法：
C=ϵ⋅A/d
C为电容；ϵ为介电常数，A为导线之间的正对面积，d为导线之间的距离。
通过公式可以看出，若要更小的电容，则需要介质具有更小的介电常数，即k值。
如何降低氧化硅的k值？
纯的SiO2的k值在4左右（3.9-4.2），为了让SiO2的k值更小，则需要对SiO2进行掺杂，比如可以掺氟元素或碳元素。掺F可以将k值降到3.6左右，而掺C则可以将k值降到3左右。
另一方面则是降低介质的致密性，也可以降低k值。
