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碳化硅功率半导体技术
杨茜SiC碳化硅MOSFET功率模块
创建于2025-01-27
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SiC的统治范围将从高压向中低压全面延伸,传统硅基和GaN器件仅能在特定窄域(如超高频、超低成本)苟延残喘。电力电子器件的“SiC时代”已不可逆。
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