碳化硅功率半导体技术

碳化硅（SiC）MOSFET相对于IGBT和超结MOSFET出现价格倒挂（即SiC MOSFET单价低于传统硅基器件），这一现象反映了化合物半导体产业的深刻变革，并预示着技术、市场和产业链格局的多重演

进入2025年，从终端客户获悉，国产IDM厂商的SiC碳化硅MOSFET与IGBT及超结MOS相比出现了价格倒挂现场！这是第一次出现碳化硅功率器件单价低于同功率级别的硅基功率器件，碳化硅功率器件应用普

碳化硅（SiC）作为化合物半导体材料的代表，凭借其耐高压、高频高效、高温稳定等特性，正在重塑电力电子行业的格局。对国产器件厂商和电力电子系统厂商而言，碳化硅的普及不仅是技术升级的契机，更是实现产业突破

在光伏系统的最大功率点跟踪（MPPT）设计中，IGBT、碳化硅（SiC）器件及其组合方案的选择直接影响系统效率、成本和可靠性。倾佳电子杨茜对三种常见解决方案进行对比分析： 倾佳电子杨茜致力于推动SiC

中国电力电子系统制造商的未来事业发展蓝图：与国产SiC碳化硅功率器件供应商联合开发下的战略转型与生态重构 倾佳电子杨茜致力于推动SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代IGBT模块，助力电力电子行业自

碳化硅（SiC）MOSFET相较于传统IGBT能够释放更多潜力的核心原因在于其材料特性与器件物理的革新，具体体现在高频高效、高温耐受、低损耗设计以及系统级优化等方面。以下是技术细节的逐层分析： 倾佳电

在储能变流器（PCS）中，碳化硅（SiC）功率模块全面取代传统IGBT模块的趋势主要源于其显著的技术优势、成本效益以及系统级性能提升。SiC模块在PCS中取代IGBT的核心逻辑在于：高频高效降低系统综