杨茜SiC碳化硅MOSFET功率模块

破局与融合：SiC碳化硅功率半导体的“三个必然”及其深层技术耦合 在功率半导体领域，一场由碳化硅（SiC）引领的革命正在加速进行。倾佳电子的杨茜提出的“三个必然”——即**...

倾佳电子重磅代理：基本半导体BMF540R12KA3，功率密度的新标杆！ 在追求极致效率和小型化的工业应用中，碳化硅（SiC）技术正引领一场革命。倾佳电子作为基本半导体（B...

倾佳电子SiC碳化硅MOSFET开关行为深度研究与波形解析 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电...

SiC MOSFET模块革命：倾佳电子力推国产SiC模块开启高效能新时代 34mm封装BMF80R12RA3模块——工业电源的能效突破者 一、产品核心优势（直击客户痛点） ...

基于B3M010C075Z SiC MOSFET的技术参数，其在固态断路器（SSCB）中的应用潜力分析如下： 核心优势 超低导通损耗 Rds(on) = 10mΩ（@18V...

BASiC半导体模拟IC产品矩阵及规格清单，按产品类型分类，清晰标注关键参数与应用市场，方便研发选型： 产品矩阵总表 产品类型 产品型号 关键规格 封装选项 核心特性 典型...

BASiC SiC MOSFET工业模块的全系列产品矩阵及应用市场选型指南，按封装系列分类整理： 一、产品矩阵与规格 1. Pcore™2 E1B系列（半桥拓扑） 型号 电...

国产SiC模块替代进口IGBT模块的战略意义：倾佳电子的产业突围之路 1 技术性能与产业升级的必然性 国产碳化硅（SiC）功率器件取代传统IGBT模块的核心动力源于其革命性...

深圳市倾佳电子有限公司（简称“倾佳电子”）是聚焦新能源与电力电子变革的核心推动者： 一、公司定位与使命 倾佳电子成立于2018年，总部位于深圳福田区，定位于功率半导体与新能...

SiC MOSFET单管在成本上相较于SiC碳化硅功率模块具有显著优势，但其并联应用中的动态均流问题却导致电力电子系统的维护成本大幅上升。 碳化硅（SiC）MOSFET单管...

从外资IGBT模块厂商拒不承认自己IGBT模块有品质问题，并且篡改实验报告，最终被国内头部电力电子厂商的功率器件专家团队拆穿该外资IGBT模块厂商报告造假，最终促使该外资知...

英飞凌与富士等外资品牌IGBT模块大幅度降价策略的本质与深层危机分析 英飞凌、富士等外资品牌IGBT模块在中国市场掀起了降价超过30%的IGBT模块价格战，其背后的逻辑不仅...

进入2025年以来，英飞凌、富士等外资品牌通过降价超过30%的价格战绞杀国产功率模块，面对英飞凌、富士IGBT模块如此大幅度的降价，国产功率模块（如SiC碳化硅模块和IGB...

国产碳化硅MOSFET设计公司此前通过参数虚标、牺牲可靠性换取市场噱头的宣传策略已难以为继，其核心原因可归结为技术短板暴露、市场信任崩塌、行业生态重构、质量事故频发以及客户...

2025年碳化硅（SiC）功率器件设计公司倒闭潮反映了行业加速洗牌的必然趋势，其背后是技术、资本、供应链和市场需求的多重挑战。而“SiC模块批量上车业绩”成为企业生存基础的...

国产650V碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 在性价比上能够全面超越超结MOSFET（SJ MOSFET），倾佳...

倾佳电子杨茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模块的50kW数据中心HVDC电源系统设计 倾佳电子杨茜致力于推...

碳化硅（SiC）逆变焊机全面取代老式IGBT焊机的主要原因在于其显著的技术优势和经济性提升，特别是焊接质量的提升可以通过碳化硅（SiC）高频特性和系统效率改进等多方面实现。...

BASiC Semiconductor（基本股份）作为APF有源滤波器行业产品升级首选的国产碳化硅（SiC）功率模块供应商，倾佳电子杨茜从技术、市场、供应链及本土化服务四大...

倾佳电子杨茜分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)碳化硅功率模块（SiC）在125kW工商业储能变流器PCS中全面取代IGBT单管及模块的技术先进...