存储暴涨核心是AI驱动的结构性供需失衡，叠加供给收缩、巨头抢货、扩产滞后，形成长周期涨价 。以下是具体原因：
一、需求端：AI爆发式拉动
- AI服务器需求激增：单台AI服务器DRAM用量约为传统服务器的8倍，NAND用量约为3倍，AI数据中心存储需求占比已达50%-60%。
- HBM刚需爆发：大模型对带宽和延迟要求极高，HBM3E成核心选择，博通等厂商大量加单，进一步挤压产能。
- 云厂商抢货：微软、亚马逊等提前锁定高端存储产能，愿意支付50%-60%溢价，挤压消费电子供应链。
二、供给端：结构性收缩
- 产能向高端倾斜：三星、SK海力士、美光将70%-80%产能转向HBM、DDR5等高附加值产品，大幅削减DDR4等成熟制程产能。
- 库存处于低位：DRAM库存仅够维持9-11周，NAND库存8周，远低于正常水平。
- 扩产周期长、技术壁垒高：存储新厂建设需2-3年，美光部分扩产预计2027年释放；HBM技术壁垒高，国内企业量产至少要到2027年。
三、其他因素
- 恐慌性采购：苹果、谷歌等厂商囤积内存，签订长期协议，加剧短缺。
- 行业周期与策略：头部厂商从2023-2024年的亏损中恢复，扩产克制，维持高议价能力。
四、价格表现
- 2025年第四季度存储价格上涨40%以上，2026年一季度预计再涨40%-50%，二季度或再涨约20% 。
- 64GB RDIMM服务器内存模组价格从2025年第三季度255美元暴涨至第四季度450美元 。
以下是未来3-6个月（2026年Q1-Q2）HBM、DDR5、DDR4、NAND的价格走势与关键节点，均为机构一致预期，便于备货决策 。
HBM（AI核心）
- 价格走势：Q1涨幅40%-50%，Q2涨幅20%-30%，全年高位，2027年前难见明显回落。
- 关键节点： 1. Q1末：三星/SK海力士HBM3E产能满产，HBM4样品交付英伟达，订单排至2026年底。 2. Q2：HBM3E供需缺口扩大，溢价维持50%-80%，云厂商锁定产能。 3. 长期：HBM4量产2026年底-2027年初，结构性短缺或延至2028年。
- 备货建议：锁定长期合约，接受溢价保供，优先HBM3E。
DDR5（服务器/高端PC）
- 价格走势：Q1合约价季涨60%-65%（服务器RDIMM领涨），Q2涨20%左右，Q3后涨幅收窄至个位数。
- 关键节点： 1. Q1：三星/海力士/美光70%-80%产能转DDR5/HBM，挤压消费级供给。 2. Q2：国产DDR5产能小幅爬坡，缓解部分压力，价格高位僵持。 3. 6月：DDR5-8000高频内存批量上市，进一步推高高端模组价格。
- 备货建议：Q1适度锁价，Q2补货，优先64GB/128GB RDIMM。
DDR4（成熟制程）
- 价格走势：Q1季涨55%-60%（年内峰值），Q2涨20%左右，因产能收缩，价格可能阶段性倒挂DDR5。
- 关键节点： 1. Q1：原厂基本停产DDR4，渠道库存见底，恐慌性采购推涨现货。 2. Q2：部分产能回流DDR4，但增量有限，价格维持高位。
- 备货建议：刚需尽快锁价，非刚需减少库存，转向DDR5替代。
NAND（闪存/SSD）
- 价格走势：Q1合约价季涨33%-38%，客户端SSD涨40%+；Q2涨20%左右，企业级SSD领涨。
- 关键节点： 1. Q1：云厂商抢企业级SSD，QLC供给最紧，价格弹性最大。 2. Q2：NAND原厂控产保价，AI推理推动NVMe SSD需求，企业级持续缺货。 3. 5月：3D NAND新产能有限释放，难改供不应求。
- 备货建议：锁定企业级SSD长期合约，消费级SSD按需小批量补货。
核心结论与行动清单
- Q1是全年涨价高峰，Q2涨幅收窄但仍高位，Q3后趋稳，2027年前难大幅回落。
- 优先级排序：HBM3E > DDR5服务器内存 > 企业级SSD > DDR4 > 消费级SSD。
- 行动建议：1月内完成Q1-Q2核心库存锁定，接受合理溢价；非核心需求推迟至Q3；与原厂签订长期协议，保障供给。
