磷化铟单晶衬底是由高纯度磷化铟材料通过单晶生长工艺（如VGF或VB法）制成的单晶衬底，具有优良的电子和光学性能。其晶体结构稳定、电迁移率高、能带宽度适中，广泛应用于高频高速电子器件、光电子器件及激光器的外延生长，如HBT、HEMT、PIN光电二极管和DFB激光器等。
据QYResearch调研团队最新报告“全球磷化铟单晶衬底市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球磷化铟单晶衬底市场规模将达到3.3亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为10.2%。
**行业发展主要特点：
磷化铟衬底行业正经历显著的技术迭代，核心趋势是从传统2/3英寸向4/6英寸大尺寸迁移，以提升单片利用率和降低单位成本。产业链集中度高，海外厂商如Sumitomo和JX Advanced Metals仍主导市场，但中国企业在6英寸研发及产业化方面取得突破，加速国产替代进程，竞争格局悄然生变。
市场驱动因素：
高速光通信需求持续增长，800G/1.6T光模块和5G/6G基站推动InP衬底市场快速扩张。InP独特的电子迁移率与光电特性，使其在高速激光器和探测器中不可替代。
激光雷达、数据中心和AI算力发展进一步放大对高速光电器件的需求，推动大尺寸衬底的研发和量产。政策支持与资本投入加速国产化进程，市场前景广阔。
根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内磷化铟单晶衬底生产商主要包括Sumitomo、北京通美（AXT）、JX Advanced Metals、Wafer Tech、InPACT等。2024年，全球前三大厂商占有大约86.0%的市场份额。
就产品类型而言，目前3英寸是最主要的细分产品，占据大约47%的市场份额。但6英寸是增长最快的细分产品。
就产品应用而言，目前光模块器件是最主要的需求来源，占据大约79%的份额。预计未来几年传感器件将迅速抢占更多份额。
本文作者
张雪璐 – 本文主要分析师
