倾佳电子以国产碳化硅MOSFET功率模块及分立器件开启高效能源新时代
——更低损耗、更高可靠、全栈服务的SiC功率器件解决方案
当传统充电桩体积缩小30%，工业焊机效率突破98.8%，光伏逆变器寿命提升4倍——这一切的变革力量，源自第三代半导体材料碳化硅（SiC）的颠覆性突破。
一、为什么全球巨头都在押注SiC？
SiC MOSFET凭借10倍开关速度、3倍导热率、100倍耐压能力，正加速替代传统硅基IGBT。然而，国际品牌长期垄断高端市场，价格高企、交期漫长，掣肘中国企业创新步伐。
倾佳电子作为BASiC半导体一级代理商，带来全系国产SiC解决方案——从工业模块到分立器件，以性能对标国际一线，服务扎根本土生态，助力客户抢占新能源变革先机！
二、BASiC SiC核心产品矩阵：为高效而生
1. 工业级功率模块：重新定义高端装备性能极限
旗舰型号BMF240R12E2G3（1200V/240A）
✅ 损耗直降50% ：独创内置SiC SBD技术，体二极管续流损耗降低42%（实测数据），Eoff比国际竞品低52%
✅ 寿命提升10倍：采用Si₃N₄ AMB陶瓷基板，耐温冲击次数达1000次（AlN基板仅10次即失效）
✅ 支持100kHz高频运行：Q_G仅492nC，助力充电桩功率密度提升30%
高频焊机专用BMF80R12RA3（1200V/80A）
✅ 整机效率98.82% ：70kHz工况下，比IGBT方案效率提升1.72%（20kW焊机实测）
✅ 175℃高温稳定运行：Rds(on)温漂系数低至1.8，杜绝高温失效风险
2. 碳化硅MOSFET分立器件：重新定义可靠边界
明星单品B3M040120Z（1200V/40mΩ）
✅ FOM值3400 mΩ²nC：开关损耗再突破
✅ -40℃~175℃全温区稳定：Vgs(th)偏差<0.07V，支持无分选直接并联
✅ 超越AEC-Q101认证：HTRB 2500小时零失效（超国标4倍）
三、为什么选择BASiC + 倾佳电子？
► 性能硬实力：国际竞品对标
国产SiC碳化硅MOSFET功率模块及分立器件发展迅速
► 服务软实力：从芯片到系统的全栈赋能
设计支持：提供PLECS仿真模型（桥拓扑仿真），预判系统兼容性
驱动配套：定制化驱动板方案，解决SiC高频应用振荡难题
敏捷交付：华东/华南备货中心，常规型号48小时极速响应
四、落地场景：国产SiC正在改写行业规则
⚡ 超充桩革命：ED3模块助力480kW超充系统，体积缩小40%
☀️ 光伏逆变器：B3M040120Z单管使组串式逆变器效率突破
🔧 工业焊机：BMF80R12RA3实现500A高频焊机，能耗降低25%
🔋 储能变流器：BMF240R12E2G3支持工商业储能变流器PCS系统
倾佳电子·本土化服务承诺
“我们不仅提供芯片，更提供让SiC落地的钥匙”
✅ 免费试样
✅ 失效分析
✅ 方案定制
国产碳化硅的黄金时代已至！选择倾佳电子，就是选择：
性能对标国际大厂的前沿技术 + 深度理解本土需求的敏捷服务 + 突破供应链桎梏的可靠保障
