倾佳电子代理 SiC 碳化硅功率模块 BMF240R12E2G3 PLECS 仿真模型介绍
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模块基本信息
型号：BMF240R12E2G3（半桥拓扑，1200V/240A）
技术：碳化硅（SiC）MOSFET 与二极管集成
供应商：BASiC
文件格式：XML（PLECS 专用仿真模型）
热设计参数：热阻 Rth(j−h)=0.19 K/WRth(j−h)=0.19K/W
核心特性
栅极电阻配置
支持用户自定义栅极电阻，优化开关性能：
开通电阻（Rgon） ：默认值 2.2 Ω
关断电阻（Rgoff） ：默认值 2.2 Ω
体二极管恢复电阻（Rgrec） ：默认值 2.2 Ω
损耗模型
基于二维查表法（2D Table）精确计算开关与导通损耗：
开通损耗（TurnOnLoss） ：
损耗能量 = E × lookup('Rgon_table', Rgon, 温度)
电流范围：-800A 至 480A
电压范围：0-800V
温度点：25°C 和 150°C
关断损耗（TurnOffLoss） ：
损耗能量 = E × lookup('Rgoff_table', Rgoff, 温度)
导通损耗（ConductionLoss） ：
分栅极开通（gate="on"）和关断（gate="off"）状态，提供电流-压降表格。
热模型
采用 Foster 热网络（4阶 RC 模型），精确模拟瞬态温升：
xml
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运行
关键数据表
功能X轴参数Y轴参数数据值Rgon_table栅极电阻 (2.2-22Ω)温度 (25/150°C)归一化因子 (1.0 至 4.77)Rgoff_table栅极电阻 (2.2-22Ω)温度 (25/150°C)归一化因子 (1.0 至 7.47)导通损耗 (on) 电流 (-440A 至 480A)温度 (25/150°C)压降值（负为二极管导通）
在 PLECS 中的典型应用
电路搭建
将模块拖入电路图，连接栅极驱动、直流母线及负载。
参数设置：
调整 Rgon/Rgoff 优化开关速度与损耗。
设置初始温度或连接外部热模型。
仿真分析：
观察开关波形、损耗分布（开通/关断/导通）。
通过热模型预测结温变化，验证散热设计。
优势
高精度：基于实测数据的损耗模型，覆盖全工作范围。
灵活性：支持用户自定义栅极电阻和温度点。
热耦合：集成 Foster 模型，实现电-热联合仿真。
兼容性：直接集成于 PLECS 仿真环境，无需额外编译。
适用场景：光伏逆变器、电动汽车驱动、工业电源等高频高效系统。
通过此模型，工程师可在设计前期精确评估模块性能，优化系统效率与可靠性，显著缩短开发周期。
