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2024-07-05 550 IGBT
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
第七代TRENCHSTOP™ IGBT专为变频工业驱动而设计。该系列IGBT采用微沟槽技术，使其具有低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度，可实现更高的器件可控性,非常适合用于驱动器、工业电源和能源生成应用。
特性：
- TRENCHSTOP IGBT7技术
- 超低VCEsat
- 关断损耗低
- 多种封装形式
- 最高工作温度：175℃
应用：
驱动器、工业电源和能源生成应用，光伏发电等
IGBT7系列 绝缘栅双极晶体管型号推荐
图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
IKQ100N120CH7
系列:IGBT 7
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IKQ120N120CH7
系列:IGBT 7 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
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IKQ140N120CH7
系列:IGBT 7 High speed 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 Technology
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IKQ150N65EH7
系列:IGBT 7 High speed 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7 Technology
0
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IKW20N65ET7
系列:IGBT 7
0
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IKW40N65ET7
系列:IGBT 7
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