11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK™ 3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA） “年度高性能无源/分立器件” （High Performance Passive/Discrete Devices of the Year），再次展现了英飞凌在电力电子领域的技术创新能力和行业领先地位。英飞凌科技工业与基础设施业务产品总监张明丹女士出席本次颁奖典礼。
采用TO-247PLUS-4-HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V分立器件，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。基于第一代增强型沟槽栅技术，该产品在电压等级上实现了向上拓展，成为市面上首款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。凭借.XT扩散焊技术，这款产品可提供一流的散热性能，以及高防潮性，不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也能确保系统的可靠性。
