LDTC114EET1G是一种新的数字晶体管，被设计来取代单一设备和它的外部电阻偏置网络。
LDTC114EET1G是一种新的数字晶体管，被设计来取代单一设备和它的外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个单晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一种串联基电阻和基发射电阻。BRT通过将这些组件集成到单个设备中，降低电路复杂性。使用BRT可以降低系统成本和板空间。该设备安装在SC-89封装中，是为低功耗表面安装应用而设计的。
主要特点
· 内置电阻：R1=R2=10KOhms
· 最大工作温度：150℃
· 集电极连续电流:100mA
· Pd-功率耗散: 200 mW
· 简化了电路设计，减少组件数量
· 采用SC-89封装，表面贴装，可进行波焊或回流焊焊接。
· 改进的鸥翼引线吸收焊接过程中的热应力，避免损坏模具
· 符合RoHS要求，通过AEC-Q101认证
产品应用
逆变器、变频器、驱动电路及低频放大器
LDTC114X系列带阻三极管
图片
制造商零件编号
描述
可供货数量
操作
LDTC114EET1G
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
400
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LDTC114EM3T5G
0
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LDTC114EN3T5G
0
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