Infineon(英飞凌)
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2024-12-05 14:54:55 45 0 0 IGBT , 英飞凌
为了让读者更好的评估器件、体验性能，小编精心挑选了三款产品免费申领
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TRENCHSTOP™ 5 650V IGBT推向市场已经10年了，共有6大系列74个型号，适合10-100kHz工作频率应用，不少型号成为工业应用的标杆产品。
H5高速芯片和S5标准芯片的75A 650V是其中两大热销产品，广泛用于光伏、储能、UPS、电动汽车充电中的高频功率变换。
除了热销的H5产品，英飞凌还新近推出了TRENCHSTOP™ 650V IGBT7 T7和H7两大系列，17个型号。免费样品中的H7作为TRENCHSTOP™ 5 H5的继承者，总损耗比H5降低高达39%。导通损耗降低25%，开通损耗降低77%，关断损耗增加20%@75A,175⁰C。该产品更适应于光伏、储能、UPS、电动汽车充电中的高频功率变换。
为了让读者更好的评估器件、体验性能，小编精心挑选了三款产品：
IKW75N65EH5 75A 650V免费样品： H5系列TO-247封装的最大规格，工作频率可达50kHz
IKW75N65ES5 75A 650V免费样品： S5系列TO-247封装的最大规格，硬开关工作频率10-40kHz
IKWH75N65EH7 75A 650V免费样品： IGBT7 H7系列，采用TO-247封装，工作频率10-80kHz
问题
1.
关于IKWH75N65EH7 75A 650V IGBT 7 H7单管下面表述正确的是
a. 有承受短路能力，关断电流能力在虚拟结温175摄氏度为75A
b. 没有承受短路能力，关断电流能力在壳温100摄氏度为80A
c. 没有承受短路能力，关断电流能力在虚拟结温175摄氏度为300A
d. 没有承受短路能力，只要保证散热，不过温过压，可以连续关断脉冲宽度不超过1微秒的300A电流
2.
IKWH75N65EH7 75A 650V 采用IGBT 7 H7高速芯片和EC7二极管，下面表述正确的是：（参考数据手册回答问题）
a. 在硬开关下，每次开通和关断都产生损耗，Eon>Eoff
b. 在硬开关下，每次开通和关断都产生损耗，随着结温升高，Eon和Eoff均增大
c. 在硬开关下，每次开通都产生损耗，损耗Eon与续流二极管特性有关
d. 在硬开关下，每次开通续流二极管会产生反向恢复损耗，增大栅极驱动电阻值能减小损耗
3.
关于IKWH75N65EH7 75A 650V IGBT 7 H7单管下面表述正确的是：
a. TRENCHSTOP™ IGBT7 650V系列， TO-247封装的最大电流规格是150A
b. IKWH75N65EH7和IKW75N65EH5标称电流都是75A，在系统中输出电流能力一致
c. IKWH75N65EH7总损耗比IKW75N65EH5低，热阻更大
d. IKWH75N65EH7是可以替代IKW75N65EH5，其成本更低
