SRAM与DRAM的主要区别如下：
存储原理：
SRAM使用触发器来存储数据，数据状态稳定，不需要定期刷新。 DRAM则使用电容器来存储数据，电容器会逐渐漏电，因此需要定期刷新以维持数据的正确性。
访问速度：
SRAM的访问速度通常比DRAM快，因为其数据状态稳定，不需要刷新等待时间。 DRAM的访问速度相对较慢，因为每次读写操作前可能需要等待刷新周期结束。
功耗与成本：
SRAM的功耗相对较高，因为需要不断为触发器供电以保持数据稳定。 DRAM在待机模式下的功耗较低，但刷新操作会增加功耗。DRAM的制造成本通常比SRAM低，因此在大容量应用中更具成本优势。
容量与集成度：
SRAM的集成度相对较低，相同面积下可以存储的数据量较少，因此容量通常较小。 DRAM的集成度较高，相同面积下可以实现更大的存储容量。
应用场景：
SRAM由于其高速访问和低延迟特性，常用于对速度要求极高的场合，如CPU的高速缓存。 DRAM则因其大容量和相对较低的成本，广泛应用于计算机的主存储器中。
