铁电随机存储器是一种兼具非易失性和高速写入特性的存储器。它继承了非易失性存储器的断电后数据不丢失的特性，同时具备了易失性存储器的高速写入和高重写耐久性的优点。
铁电随机存储器采用铁电材料作为存储元件，特别是PZT（锆钛酸铅）晶体。PZT晶体在施加电压后，其内部的Zr和Ti原子会发生位移，产生极化现象。这种极化状态在停止施加电压后仍能保持不变，因此可以用来表示二进制数据中的“0”和“1”。这种特性使得铁电随机存储器具有非易失性，即数据在断电后不会丢失。
铁电随机存储器的存储单元结构主要有两种类型：2T2C型和1T1C型。2T2C型由两个晶体管和两个铁电体电容器组成，通过比较实际存储单元和参考单元的位线电压来判断数据。这种结构的数据稳定性较高，因此被广泛应用于对可靠性要求较高的领域，如汽车电子等。而1T1C型则通过将一个真实单元的位线电压与另一单独电路产生的参考电压进行比较来判断数据，其单个存储单元的面积仅为2T2C型的一半，因此更适合用于大容量产品。
铁电随机存储器具有多项显著的技术特点。首先，它具备高重写耐久性，这意味着它可以承受大量的读写操作而不会损坏。其次，铁电随机存储器具有高速写入特性，这使得它在需要快速数据访问的应用中表现出色。此外，铁电随机存储器还具有低功耗和可耐受高温（如125℃）的特性，进一步拓宽了其应用范围。
根据QYResearch最新调研报告显示，2023年全球铁电随机存储器市场销售额达到了9.72亿美元，预计2030年将达到15.77亿美元，年复合增长率（CAGR）为7.50%（2024-2030）。地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2023年市场规模为1.77亿美元，约占全球的18.21%，预计2030年将达到3.2亿美元，届时全球占比将达到20.33%。
根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内铁电随机存储器生产商主要包括RAMXEED（原富士通）、英飞凌（Cypress）、德州仪器、罗姆（Lapis）、舜铭存储等。2023年，全球前五大厂商占有大约98.0%的市场份额。
就产品类型而言，目前4K-512K是最主要的细分产品，占据大约59.7%的份额。
就产品应用而言，目前汽车电子及充电桩是最主要的需求来源，占据大约26.3%的份额。
行业发展趋势:
技术瓶颈突破：FRAM存储器市场面临的首要挑战是技术瓶颈的突破。随着数据量的爆炸式增长，市场对存储器的容量需求日益提升。FRAM制造商正通过研发先进的制造工艺和采用新型材料，不断提升存储单元的集成度和存储密度，以实现大容量化。同时，为了满足高速数据传输和处理的需求，FRAM技术也在不断优化，提升读写速度，保持其在速度方面的优势。此外，FRAM的读写耐久性也是其市场应用中的一大亮点，制造商正致力于进一步提高其读写寿命，以满足更广泛的应用场景。
市场竞争性增强：随着FRAM技术的不断发展，市场竞争性也在逐步增强。一方面，现有企业不断加大研发投入，推动技术创新，以提升产品性能和降低成本，从而在市场中保持竞争力。另一方面，新玩家的涌入也为市场带来了新的活力和竞争压力。这些新进入者通常拥有独特的技术或商业模式，能够迅速适应市场需求，推动FRAM技术的普及和应用拓展。
国产化替代：FRAM存储器未来国产化替代的趋势日益明显。随着国内半导体技术的不断进步和成本的持续优化，国产FRAM存储器产品在性能上将逐渐逼近甚至超越国际同类产品，同时在价格上展现出更大的竞争力。这种性价比优势使得国产FRAM存储器在多个应用领域，如充电桩、物联网设备等，开始逐步替代传统存储器产品。此外，国内半导体企业正积极加大在FRAM存储器领域的研发投入，与国内外科研机构开展深度合作，推动技术创新和产业升级。这不仅有助于提升国产FRAM存储器的性能和质量，还进一步缩短了与国际先进水平的差距。随着物联网、人工智能等新兴技术的快速发展，对存储器的需求将更加多元化和高端化。同时，国家政策对半导体产业的支持力度不断加大，为国产FRAM存储器的发展提供了良好的政策环境和市场机遇。
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