继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。
• 英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司；
• 通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上；
• 新技术可用于各种应用，包括英飞凌的AI赋能路线图；
• 超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。
继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。英飞凌在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，这种晶圆直径为300mm，厚度为20μm。厚度仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。
Jochen Hanebeck
英飞凌科技首席执行官
“
这款全球最薄的硅晶圆展现了我们致力于通过推动功率半导体技术的发展，为客户创造非凡的价值。英飞凌在超薄晶圆技术方面的突破标志着我们在节能功率解决方案领域迈出了重要一步，并且有助于我们充分发挥全球低碳化和数字化趋势的潜力。凭借这项技术突破，英飞凌掌握了Si、SiC和GaN这三种半导体材料，巩固了我们在行业创新方面的领先优势。
”
这项创新将有助于大幅提高功率转换解决方案的能效、功率密度和可靠性，适用于AI数据中心，以及消费、电机控制和计算应用。与基于传统硅晶圆的解决方案相比，晶圆厚度减半可将基板电阻降低50%，从而使功率系统中的功率损耗减少15%以上。对于高端AI服务器应用来说，电流增大会推动能源需求上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压，对于功率转换来说尤为重要。超薄晶圆技术大大促进了基于垂直沟槽MOSFET技术的垂直功率传输设计。这种设计实现了与AI芯片处理器的高度紧密连接，在减少功率损耗的同时，提高了整体效率。
