氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓最早是在1928年人工合成出来的材料。但它的单晶生长很难，目前氮化镓衬底晶圆仍然偏贵。商业场景（LED/射频RF/功率器件）中使用的多是异质外延片。氮化镓器件所选用的衬底主要有Si、SiC、GaN、蓝宝石等，在此基础上进行氮化镓的同质外延或异质外延。 GaN单晶衬底是外延GaN最理想的衬底，缺陷密度低，外延材料质量好。但GaN单晶生长设备要求高，控制工艺复杂，位错缺陷密度较高，良率较低，且相关技术发展较慢，GaN衬底片成本较高，应用受到限制。主流GaN衬底产品以2英寸为主，4英寸也已经实现商用。目前全球GaN衬底生产商主要有住友 (SCIOCS)、BTOZ、苏州纳维科技、三安光电、东莞市中镓半导体、Toyoda Gosei、三菱化学、Kyma Technologies、镓特半导体科技有限公司、无锡吴越半导体等。 本文研究氮化镓GaN衬底片用CMP抛光液。
根据研究团队调研统计，2023年全球氮化镓GaN用抛光液市场销售额达到了0.5亿元，预计2030年将达到2.2亿元，年复合增长率（CAGR）为22.3%（2024-2030）。中国市场在过去几年变化较快，2023年市场规模为 亿元，约占全球的 %，预计2030年将达到 亿元，届时全球占比将达到 %。
GaN下游应用广泛，主要有射频电子、电力电子等领域。根据我们调研，2023年全球GaN氮化镓器件（包括RF GaN和Power GaN）市场规模约为19亿美元，其中RF GaN器件主要主导地位，占比超过85%。预计未来几年，GaN Power功率器件将保持更快速增长。未来几年，随着GaN衬底片技术的进步，所需的CMP抛光液将迎来快速增长。
本文侧重研究全球氮化镓GaN用抛光液总体规模及主要厂商占有率和排名，主要统计指标包括氮化镓GaN用抛光液产能、销量、销售收入、价格、市场份额及排名等，企业数据主要侧重近三年行业内主要厂商的市场销售情况。地区层面，主要分析过去五年和未来五年行业内主要生产地区和主要消费地区的规模及趋势。 本文主要企业名单如下，也可根据客户要求增加目标企业： 富士胶片Fujifilm Saint-Gobain Fujimi Corporation 安集科技 按照不同产品类型，包括如下几个类别： 硅溶胶抛光液 氧化铝抛光液 按照不同应用，主要包括如下几个方面： 4英寸GaN衬底片 2英寸GaN衬底片 重点关注如下几个地区 美国 日本 本文正文共10章，各章节主要内容如下： 第1章：报告统计范围、所属行业、产品细分及主要的下游市场，行业现状及进入壁垒等 第2章：国内外主要企业市场占有率及排名 第3章：全球总体规模（产能、产量、销量、需求量、销售收入等数据，2019-2030年） 第4章：全球氮化镓GaN用抛光液主要地区分析，包括销量、销售收入等 第5章：全球氮化镓GaN用抛光液主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、氮化镓GaN用抛光液产品型号、销量、收入、价格及最新动态等 第6章：全球不同产品类型氮化镓GaN用抛光液销量、收入、价格及份额等 第7章：全球不同应用氮化镓GaN用抛光液销量、收入、价格及份额等 第8章：行业发展趋势、驱动因素、行业政策等 第9章：产业链、上下游分析、生产模式、销售，模式及销售渠道分析等 第10章：报告结论
