1.FLASH简介
- 读写flash的用途
利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新
- 在线编程（ ICP）：
这个JTAG SWD就是仿真器下载程序，每次下载都是把整个程序完全更新掉，那系统加载程序就是系统存储器的BOOTLOADER，也就是串口下载，串口下载也是更新整个程序，这就是我们一直在用的ICP下载方式。
- 在程序中编程（ IAP），它可以使用微控制器支持的任意一种通信接口下载程序
2.闪存模块组织
C8T6的闪存为64K属于中容量产品
- 模块组织的分为3个部分
- 第一个是主存储器，也是程序存储器，用来存放程序代码的，这是最主要也是容量最大的一块。
- 第二个是信息块，里面又可以分为启动程序代码和用户选择字节，其中启动程序代码就是系统存储器，存放的是原厂写入BOOTLOADER用于串口下载。
- 第三块是闪存存储器接口寄存器，这一块的存储器实际上并不属于闪存，地址都是40开头的，说明这个存储器接口寄存器就是一个普通的外设，和之前讲的GPIO定时器、串口等等都是一个性质的东西，这些存储器它们的存储介质也都是SRAM。 是用来控制主存储器和信息块的。
- 对于主存储器，这里对它进行了分页，分页是为了更好的管理闪存，擦除和写保护都是以页为单位的。这点和之前W25Q64芯片的闪存一样，写入前必须擦除，擦除必须以最小单位进行，擦除后数据位全变为1，数据只能1写0，不能0写1，擦除和写入之后都需要等待忙，这些都是一样的。
3.FLASH基本接狗
- 整个闪存分为程序存储器、系统存储器和选项字节三部分，这里程序存储器为以C8T6为例，它是64K的，所以总共只有64页，最后一页的起始地址是0800FC00。
左边这里是闪存存储器接口，然后闪存存储器接口，可以对程序存储器进行擦除和编程，也可以对选项字节进行擦除和编程，系统存储器是不能擦除和编程的。
这个选项字节里面有很大一部分配置位，其实是配置主程序存储器的读写保护的，所以右边画的写入选项字节，可以配置程序存储器的读写保护。
4.操作FPEC，进行编程
1.FLASH解锁
- 首先第一步是flash解锁，这个flash操作之前需要解锁，目的都是为了防止误操作，是通过在键寄存器写入指定的键值来实现，使用键寄存容器的好处就是更能防止误操作，每一个指令必须输密码才能完成，叫密钥寄存器。
首先FPEC共有三个键值，也就是三把开锁的钥匙，RDPRT键是解除读保护的密钥，值是0XA5这些值呢，实际上是随便定义的，只要你定义的不是很简单就行。 在FLASH_KEYR键寄存器中，先写入KEY1，再写入KEY2解锁，这个锁是KEYR寄存器，所以这个有两道锁，解锁的话，要先用K1钥匙解，再用K2钥匙解，最终才能解锁成功，所以非人为情况下基本不可能解锁
2.使用指针访问寄存器
其中读取可以直接读，写入需要解锁，并且执行后面的流程。 第一步，读取给定存储器器的地址，比如0x08000000例，读取这个地址下的数据。
第二步，在地址前面加上强制类型转换，转换成uint16_t * 。__IO 在stm32库函数中，这是宏定义。 #define __IO volatile，这个宏定义对应C语言关键字， volatile。在uint16_t *数据类型前加volatile，起一个保障作用，目的是，防止编译器优化。
第三步，使用*号，指针取内容，把这个指针指向的存储器取出来了，这个值就是指定存储器的值，取出来可以把它赋值给自定义变量Data，这样就完成指定地址读的任务。
3.程序存储器全擦除
第一步是读取lock位，看一下芯片锁没锁，如果lock位=1锁住了，就执行解锁过程，解锁过程就是：在KEYR寄存器先写入KEY1，再写入KEY2；如果lock位=0当前没锁住，就不用解锁了。这是流程图里给的解锁步骤，如果锁住了就解锁，如果没锁住就不用解锁。但是在库函数中并没有这个判断，库函数是直接执行解锁过程，管你锁没锁都执行解锁。
第二步，然后继续解锁之后，首先置控制寄存器里的MER(Mass Erase)位为1，然后再置STRT(Start)位为1，其中STRT为1是触发条件，STRT为1之后芯片开始干活，然后现在看到MER位是1，它就知道接下来要干的活就是全擦除，这样内部电路就会自动执行全擦除的过程。
第三步，然后继续擦除，擦除过程开始后，程序要执行等待，判断状态寄存器的BSY(Busy)位是否为1，BSY位表示芯片是否处于忙状态，BSY位为1表示芯片忙，所以这里如果判断BSY位等于1，就跳转回来继续循环判断，直到BSY位=0跳出循环。
第四步：读出并验证所有页的数据，这个是测试程序才要做的，如要全读出来验证一下，这个工作量太大了，所以这里的最后一步就不管了，正常情况下全删除完成了，我们默认就成功了，这是全擦除的流程。
4.程序存储器页擦除
与上一步区别是：在置FLASH——CR的STRAT为前需要指定要擦除的页
5.程序存储器写入
在STM32中有几个术语，字、半字和字节，其中字word就是32位数据，半字half word就是16位数据，字节byte就是8位数据。那这里只能以半字写入，意思就是只能以16位的形式写入，一次性，写入两个字节，如果你要写入32位，就分两次完成。
如果你只要写入8位，比较麻烦了，如果你想单独写入一个字节，还要保留另一个字节的原始数据的话，那只能把整页数据都读到SRAM，再随意修改SRAM数据，修改全部完成之后，再把整页都擦除，最后再把整页都写回去。
所以如果你想像SRAM一样随心所欲的读写，那最好的办法就，先把闪存的一页读到SRAM中，读写完成后再擦除一页，整体写回去。
5.选项字节
- 这里是对应的16个字节，其中有一半的名称前面都带了个N，比如RDP和nRDP ，USER和nUSER等，意思，是你在写入RDP数据时，要同时在NRDP写入数据的反码，要在带N的对应的存储器写入反码，这样写入操作才是有效的。
如果芯片检测到，这两个存储器不是反码的关系，那就代表数据无效有错误，对应的功能就不执行，这是一个安全保障措施。但这个写入反码的过程，硬件会自动计算并写入。
- 第一个RDP(Read Protect)是，读保护配置位，解释，在RDP存储器写入RDPRT键，然后解除读保护，如果RDP不是A5，那闪存就是读保护状态，无法通过调试器读取程序，避免程序被别人窃取。
第二个字节USER，可以配置硬件看门狗和进入停机待机模式是否产生复位。
第三个和第四个字节Data0/1，这个在芯片中没有定义功能，用户可自定义使用。
最后四个字节，WRP(WriteProtect)0、1、2、3这四个字节配置的是写保护，在中容量产品里是每一个位对应保护四个存储页，四个字节总共32位，一位对应保护四页，总共保护32×4等于128页，正好对应中容量量的最大128页。
###选项字节擦除
