今年3月，英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件，全面开启碳化硅2000V的时代。最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。作为英飞凌的创新产品，其在直流母线电压表现抢眼，能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”
去年一经上线，备受好评！
5月14日 14：00
今年的碳化硅季正式回归，
首期话题将为您揭开
CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱： 找正品元器件，上唯样商城。
增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势？ 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点？ 如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战？ 2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点？ 立即扫码预约直播
直播间不定时有惊喜奖品掉落
敬请期待！
锁定碳化硅季未来几期
更多福利/惊喜将在直播间呈现：
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖 栅极驱动器重点知识讲解找正品元器件，上唯样商城。 储能方面的应用……
碳化硅直播季主持人
波老师
IPAC 常驻主持
直播嘉宾
赵佳
碳化硅资深专家
长期负责功率半导体产品在新能源等应用技术支持
沈嵩
碳化硅资深专家
具有丰富的逆变器设计系统经验和功率器件应用知识
