DRAM和SRAM的核心区别是他们的存储元不一样
首先我们先来简单看看两种不同存储元工作原理的不同之处：
DRAM使用的栅极电容可以存储电平信号，当MOS管接通后，数据线上呈现高电平or低电平
SRAM使用的双稳态触发器可以保持两种状态，同时拥有两根输出线
DRAM是破坏性读出，读写速度慢，而SRAM是非破坏性读出，读写速度快
来看看两种芯片的各种区别
由于电容过一段时间电荷就会流失，那我们不能接受数据这么莫名其妙就丢失了，所以我们要做刷新工作，刷新的周期一般是2ms，每次刷新一行的存储单元
这里就牵扯到了一个更深入的问题，什么是一行存储单元，在芯片中，如果每个地址都对应一个储存单元，那要连接非常多非常多的线，工程上很难实现，因此我们采取二维存储单元的方式，有两个译码器，一个负责行地址，一个负责列地址，这里就引出了另一个问题，行列地址如何送入芯片
由于SRAM集成度低，可以同时送两个地址，但是DRAM中使用地址线复用技术，分次序送入行地址和列地址，此外，刷新有存储器独立完成，不需要CPU控制
