NOR Flash & NAND FlashFlash是一种非易失性存储单元，可以对块进行擦写和再编程，任何Flash器

Flash是一种非易失性存储单元，可以对块进行擦写和再编程，任何Flash器件的写入操作只能再空或已擦除的单元内进行，大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NOR Flash的读取和SDRAM的读取类似，用户可以直接运行装载在NOR Flash里的代码。

每个存储单元以并联的方式连接到位线，可以对每一位进行随机存取，具有专用的地址线，可实现一次性直接寻址，缩短了Flash对处理器指令的执行时间。

NAND Flash广泛应用在各种存储卡、U盘、SSD、eMMC等大容量设备中。

容量大、改写速度快。

NAND Flash的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页。读写擦除以块为单位。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。