内容摘要 本文调研和分析全球GaAs器件发展现状及未来趋势，核心内容如下：
（1）全球市场总体规模，分别按销量和按收入进行了统计分析，历史数据2018-2022年，预测数据2023至2029年。
（2）全球市场竞争格局，全球市场头部企业GaAs器件销量、收入、价格市场占有率及行业排名，数据2018-2022年。
（3）中国市场竞争格局，中国市场头部企业GaAs器件销量、收入、价格市场占有率及行业排名，数据2018-2022年，包括国际企业及中国本土企业。
（4）全球重点国家及地区GaAs器件需求结构。
（5）全球GaAs器件核心生产地区及其产量、产能。
（6）GaAs器件行业产业链上游、中游及下游分析。
2022年全球GaAs器件市场规模约702亿元，2018-2022年年复合增长率CAGR约为 %，预计未来将持续保持平稳增长的态势，到2029年市场规模将接近1226亿元，未来六年CAGR为8.3%。 砷化镓（GaAs）是一种重要的半导体材料，属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，闪锌矿型晶格结构，晶格常数 5.65×10?10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。GaAs可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。本文研究GaAs射频器件，射频器件是实现信号发送和接收的关键器件，射频器件主要包括功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器、数模/模数转换器等器件，其中，功率放大器是放大射频信号的器件，其直接决定移动终端和基站的无线通信距离和信号质量。由迁移率和高饱和电子速率的显著优势，砷化镓一直是制造射频功率放大器的主流衬底材料之一。4G时代起，4G基站建设及智能手机持续普及，用于制造智能手机射频器件的砷化镓衬底需求量开始上升。进入5G时代之后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，使用砷化镓衬底制造的射频器件非常适合应用于长距离、长通信时间的高频电路中，因此，在5G时代的射频器件中，砷化镓的材料优势更加显著。随着5G基站建设的大量铺开，将对砷化镓衬底的需求带来新的增长动力；与此同时，单部5G手机所使用的射频器件数量将较4G手机大幅增加，也将带来对砷化镓衬底需求的增长。伴随5G通信技术的快速发展与不断推广，5G基站建设以及5G手机的推广将使砷化镓基射频器件稳步增长。全球GaAs器件（GaAs Devices）核心厂商包括Skyworks、Qorvo、Broadcom、WIN Semi等，前五大厂商占有全球大约76%的份额。北美地区是全球最大的生产地区，占有接近72%的市场份额。就产品而言，功率放大器是最大的细分，市场份额超过52%应用方面，主要应用在移动设备，份额超过53%。
详情内容请参考恒州诚思（YHResearch)出版的完整版市场报告
