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7.1 伏案特性
拓展:锗管的正向导通电压通常在 0.2v，而硅管的正向导通电压通常在 0.5v。
如上图所示:当硅管的正向导通电压差不多在 0.5v 的时候就会有电流，那么对于硅管来说的话这个 0.5 我们就把它当作是开启电压。通俗的来说当这个管子大于 0.5v 来说的话就会有电流，当硅管在 0~0.5v 之间的话它是没有电流的，这一段被称之为是:死区电压。就相当于这个管子还没有打开正常的工作。
当硅管进入正向特性的时候它的伏安特性曲线是呈现出指数形的上升『随着电压的增加，但是它的电压增加的值并不是很大，但是就是会导致电流会产生一个比较大的变化』
当我们给二极管的负极给正向电压的时候，正极给反向电压的时候。这个时候就如上图所示一样二极管就是在处于反向特性状态。这个时候它是没有什么电流的，但是会有反向漏电流(微 A)存在『反向截止』。如果这里加到 Ubr 的话，那么这个时候反向电流就会急剧的开始增加，对应着这个电压值就被称之为是反向电压。利用这种特性是可以构成稳压二极管的。
7.2 漏电流
例如:4001~4007 它的反向漏电流这⑦个型号差不多在⒌微安左右，反向漏电流它是能够反映出它的单向导电性的好环的。当然在实际上当中我们是希望它的反向漏电流是越小越好的，越小就说明它的单向导电性就越好，同时也说明了它反向＋电压的时候，是能够处于完全截止的状态的。也就是可以反映出二极管的特性:单向导电性。
拓展⇢反向漏电流受温度的影响是比较大的，当处于一个比较高的温度 80°~90°的时候它的一共反向漏电流会处于几十微安的值。
硅管的反向漏电流的特性是比较好的，它的单向导电性是要比锗管好一点的。
㈧拓展知识点
这部分拓展知识点我想为大家介绍下最早半导体的发明人以及二极管的发明人的发明人都是哪些？
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很多人以为半导体最早发明的人是法拉第，但实际上法拉第并不是发明了半导体。而是发现了半导体，发现了并不等于发明了。而在这里并不能说明"最早发明"起原因是因为－半导体并不是一个单纯的产品，也不能说是由谁发明的。在半导体被发明出的背后，有着好几种与半导体有关的效应。而之所以人们会发现半导体现象，是因为法拉第发现了半导体最主要的原理，因此才揭开了半导体的神秘面纱。之后法国的一名科学家贝莱尔又发现了光生伏特效应，英国的科学家史密斯发现了光电导效应，这几个效应相结合才产生了半导体。
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但是可以说正式发明半导体是"贝尔实验室"，当然法拉第在里面的功劳可以说是功不可没的。就是因为有了法拉第的发现才使得半导体的研制有了可能。
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介绍完半导体我们再来说说二极管。二极管的发明人是英国科学家弗莱明，1884 年，弗莱明出访美国时拜会了爱迪生，共同讨论了电发光的问题。爱迪生发现了热电子发射现象，弗莱明立刻意识到这是一个重大的技术发现，弗莱明亲自做了实验，还找到爱迪生共同研讨有关热电子发射的问题。
并推测“爱迪生效应” 的背景可能就是由阴极射向阳极的单向电子流，他根据自己对“爱迪生效应”的理解，设计制造了世界上第一只电子二极管，也是人们后来所说的“真空二极管”。真空二极管的发明标志着人类进入了无线电时代。并于 1904 年 11 月 16 日在英国取得专利。
㈨🔚
那么此时小伙伴们或许有个疑问？为什么电流是正向移动，电子是反向的。
其实这个是历史遗留问题，最开始定义电流和电子就是如此。所以可能刚学会有不理解😱
