1 MOS管转移特性和输出特性
1.1 寄生二极管的作用
- ①MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，
二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。 - ②防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
1.2 针对耗尽型电路的自给偏压
耗尽型电路，n型和p型搞清楚，n的vgs越小ds越小，p的vgs越大ds越小。p型耗尽型随着VGS的电压越来越大，漏级电流越来越小- 在直流通路中，因为VDD>0，Ve也大于0，那么Vgs会出现负的偏置电压，通过耗尽型电路的转移特性，则Ids出现>0的电流
1.3 MOS管特性（输入特性）
1.3.1 输入特性
MOS管作用：开关或者放大作用- MOS管栅源之间电阻很大，电流也很小，研究
栅源电压和栅源电流的关系没有意义 - 栅源电压和漏源电压对漏极电流都有影响，所以研究时，先固定其中一个电压值，研究漏极电流与另一个电压的关系。
- 例如先研究栅源电压对漏极电流的影响，可以发现，漏极电流是有开启电压的，
只有栅源电压高于某一值时，才会有电流响应。
1.3.2 输出特性
- 漏源电压在0到一定值时，漏源电流是随着漏源电压线性增加，（叫可变电阻区或欧姆区）
- 当漏源电压超过一定值时，漏极电流保持不变（这部分叫做饱和区或横流区）
- 如果给的栅源电压低于开启栅源电压，则低于这个电压的下边都为为该场效应管的截至区，是它不导通的区域。
3 MOS管分压偏置电路动态参数计算
R3一般取得非常大，为了增加输入阻抗，上兆欧电阻，因此输入电阻接近无穷大- R1与R2一般是几十K
- 一般MOS放大电路没有共射三极管放大能力强，若要增强放大能力，RD增大是不行的，因为RD消耗电压大，后级复杂消耗的电流就小了，带负载能力就减弱了
如下所示：若要增强放大能力，提高静态工作点漏极电流就可以了
