CPU的工作原理 - 芯片

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CPU的工作原理

简介

CPU(central processing unit),又叫中央处理器,可以说是目前人类历史上科技含量最高的产物。其工艺复杂度,涉及的学科知识点数不胜数。它作为计算机系统的运算和控制核心,是信息处理、程序运行的最终执行单元。

世界上第一款商用处理器CPU于1971年问世,他就是Intel 4004(如下图)。 该CPU内集成了2250个晶体管,晶体管之间的距离是10微米,能够处理4bit的数据,每秒运算6万次,频率为108KHZ,前端总线为0.74MHz。而现代的的CPU内部已经集成了100多亿个晶体管,频率等也是之前远远不能相比的了,即使这样,它内部的线路设计也是相当复杂了。

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什么是半导体

我们知道芯片的主要原材料是硅,他在元素周期表中处于导电元素和不导电元素之间(类似的还有Ge),他本身是带有4个电子的,他通过共享电子(共价键)达到一个稳定的机构,当在大于绝对零度的时候,这些电子会自由移动,移动走了原来的位置成为空穴。随着这些空穴和电子的移动他们就可以导电。

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但是这些空穴数量很少,远远达不到我们想要的导电能力,这时候就需要掺杂一些其他的元素增加其导电能力。

如果我们掺杂了带5个电子的元素,比如磷,砷等,这样就会多一个电子,这种掺杂后的称为N型半导体。 如果我们掺杂了只有3个电子的元素,比如硼,铟等,这样就对多出很多空穴,这种掺杂的我们称为P型半导体。

当这2种碰在一起的时候,N上的电子就会填补到P的空穴上去,但是距离他们接触面比较远的则不一定。而接触的部分称为PN结。这个PN结在稳定后会形成空间电荷区,他会阻止N的电子流向P的空穴。这种PN结就具有单向导电性(P区接外加电源的正极,N区接负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大,PN结不能导通),这也就是为什么叫半导体。

芯片制造

我们都知道计算机世界是由0和1组层的,那么代表这些0和1的就是晶体管。一个cpu里面的晶体管数量越多,代表这个cpu也就越强大。摩尔定律申明每隔2年,在同样的大小的芯片内部,晶体管的数量会增加一倍。

当代的芯片整个生产也是相当的复杂,这里列举了主要的步骤:

  1. 芯片的主要原料是硅,所以我们先要提取纯度很高的硅:通过让沙子和碳在高温下置换反应从而提纯出单晶硅棒(也就叫硅锭),然后对单晶硅棒切片并抛光,我们常见的光滑的圆片就是纯度极高的硅片,也叫晶圆。
  2. 然需要对晶圆的表面进行氧化为二氧化硅,该层是绝缘的。在氧化后的晶圆表面需要涂一层感光材料,该层薄膜能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力,这种材料就是我们常说的光刻胶,光刻胶被紫外线照射会被溶解(这里说的是正胶)。
    • 光刻胶分2种:正胶和负胶,区别是经过光照的之后,可被溶解的叫正胶,反之叫负胶。
  3. 接着我们需要将自己设计好的电路图,打印出掩膜,然后使用光刻机紫外线(主要是短波长的光线)透过该掩膜照射在光刻胶上。被紫外线照的地方,光刻胶就被溶解,这样电路图就会留在晶圆上。重复该操作,这样晶圆上就出现了一块块的我们设计好的电路图案,每一块都即将成为一颗芯片。
  4. 然后可以用化学腐蚀反应或者等离子攻击晶圆表面,让光刻胶被冲洗掉的部位被刻蚀,从而形成凹陷。这样电路图就印刻到我们的晶圆上来了。化学腐蚀的方法一般不如等离子撞机效果好,因为切面不如撞机的规整,这时候氧化层就会被蚀刻出凹陷。
  5. 下面就是离子注入和退火的过程了。通过掺杂硼或者磷入硅中,然后通过一定温度的加热退火稳定硅和这些离子的晶体结构。
  6. 然后,就是在上面通过物理气相沉积(构建各种金属层来连接不同的器件和电路),在通过化学气相沉积在不同金属层之间形成绝缘层。通过电镀铜来连接各个金属层。不断反复这个步骤,从而逐渐构建出我们的电路结构。
  7. 最后就是切片、封装、测试,验证芯片是ok的,然后包装出售。