该工艺将于2022年下半年投入生产。
与5纳米工艺相比，3纳米工艺在相同功率下速度提高10-15%，或者在相同速度下功率降低25-30%，逻辑密度提高1.7倍，SRAM密度提高1.2倍，模拟密度提高1.1倍。据了解，iPad将首先获得3纳米芯片，下一代iPhone将使用4纳米半节点。
据说英特尔最初将3纳米节点用于笔记本PC处理器和数据中心CPU。 3纳米工艺的另一个早期采用者预计是布里斯托尔的Graphcore，该公司正在使用该工艺制造一个包含1000多亿个晶体管的处理器。
英特尔已将其7纳米工艺推迟到2023年，但据IC Knowledge的Scotten Jones说。"英特尔的7纳米工艺预计与台积电的等效节点为4.3纳米。英特尔的7纳米工艺在密度上介于台积电的5纳米和3纳米工艺之间。如果英特尔能够回到两年一个节点的节奏，并在十年中期左右实现2倍的密度改进，他们就能与台积电的密度大致持平。"
英特尔首席执行官Pat Gelsinger表示，他规定节点迁移的周期为一年。
至于性能，Scotten Jones认为"我的期望是，英特尔的7纳米工艺在性能上将与台积电的3纳米工艺竞争。"
据报道，AMD计划明年为其笔记本处理器采用台积电的5纳米芯片工艺。
Nvidia的首款服务器CPU芯片将于2023年推出，将采用台积电的5纳米工艺。
