三星日前公布了一款新的内存模块，展现了DDR5内存在速度和容量方面的潜力。三星表示，这款512GB DDR5模块是首款使用高K金属门（HKMG）技术的产品，可提供7200 Mbps的速度，是DDR4的两倍以上。目前，它的目标是数据密集的超级计算、人工智能和机器学习功能，但DDR5最终会在普通PC上找到出路，促进游戏和其他应用。
三星在2018年首次使用HKMG技术，GPU中使用的GDDR6芯片。它由英特尔开发，使用铪代替硅，金属取代了普通的多晶硅栅极电极。所有这些都使得芯片密度更高，同时减少电流泄漏。
每个芯片使用8层16Gb DRAM芯片，容量为128Gb，即16GB。因此，三星需要32个这样的芯片来制作一个512GB的RAM模块。在更高的速度和容量之外，三星表示，该芯片的功耗比非HKMG模块低13%--非常适合数据中心，但对于普通PC来说也不差。
在7200 Mbps的速度下，三星最新的模块将在单通道上提供约57.6 GB/s的传输速度。在三星的新闻稿中，英特尔指出，该内存将兼容其下一代 "Sapphire Rapids "Xeon可扩展处理器。该架构将使用八通道DDR5内存控制器，因此我们可能会看到内存传输速度高达460GB/s的多字节内存配置。同时，第一批消费类PC可能会在2022年到来，届时AMD将推出其Zen 4平台，该平台传闻将支持DDR5。
本文翻译自：Samsung's 512GB DDR5 module is a showcase for the future of RAM 作者：S. Dent （Twitter@stevetdent）
