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唯样是国内知名的电子元器件线上授权代理商。成立于2016年，现有代理销售品牌超70家，包括YAGEO、TDK、TE Connectivity、ROHM、Nexperia、MPS、Panasonic、KEMET、TAIYO YUDEN、AOS等国内外知名原厂。

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4天前

英飞凌 | 驱动电路设计（五）——驱动器的自举电源稳态设计

为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章讲详细讲解如何正确理解和应用这些功能。...

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9天前

英飞凌 | 驱动电路设计（四）---驱动器的自举电源综述

驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章...

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15天前

碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文...

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23天前

碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相

全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在新型电气能源架构中，相比于从前，一次能源到终端用户的能源转换次数增多。。。...

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1月前

英飞凌 | 驱动电路设计（三）---驱动器的隔离电源杂谈

为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者收藏和阅读推荐的资料以作参考。...

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1月前

英飞凌 | 驱动电路设计（二）——驱动器的输入侧探究

英飞凌工业半导体驱动电路设计是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。...

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2月前

英飞凌 | 功率半导体驱动电源设计（一）综述

工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易，主要难点有几点： 1、电路要求简洁，占用线路板面积要小...

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2月前

英飞凌创新之作：顶部散热器件，解锁OBC设计功率密度新高度

在电动汽车（EV）领域，OBC设计的一个关键目标是提升功率密度，因为更轻的产品会给汽车减重从而有利于增加续航里程。...

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2月前

英飞凌推出基于MEMS的集成式先进超声波传感器，赋能新型工业和医疗用例

英飞凌在开发电容式微机械超声波传感器（CMUT）技术方面取得重大进展。凭借这项技术，公司推出首款高度集成的单芯片解决方案，该方案基于微机电系统（MEMS）的超声波传感器，拥...

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2月前

英飞凌高信噪比MEMS麦克风驱动人工智能交互

在英飞凌，我们一直坚信卓越的音频解决方案对于提升消费类设备的用户体验至关重要。我们坚定不移地致力于创新，在主动降噪、语音透传、录音室录音、音频变焦和其他相关技术方面取得了显...

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3月前

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性...

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3月前

功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性...

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3月前

功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性...

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3月前

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》和《功率半导体芯片温度和测试方法》分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用...

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4月前

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？...

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4月前

功率器件热设计基础（八）——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

上一篇讲了两种热等效电路模型，Cauer模型和Foster模型，这一篇以二极管的浪涌电流为例，讲清瞬态热阻曲线的应用。...

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4月前

功率器件热设计基础（七）——热等效模型

功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统...

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5月前

功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性...

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5月前

功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性...

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2024-12-18