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  • 功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容
    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
    • oneyac唯样
    • 4月前
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    算法
    功率器件热设计基础(五)——功率半导体热容
  • 功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
    • oneyac唯样
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    算法
    功率器件热设计基础(四)——功率半导体芯片温度和测试方法
  • 功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联
    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
    • oneyac唯样
    • 4月前
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    功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联
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