杨茜SiC碳化硅MOSFET功率模块

SiC MOSFET单管在成本上相较于SiC碳化硅功率模块具有显著优势，但其并联应用中的动态均流问题却导致电力电子系统的维护成本大幅上升。 碳化硅（SiC）MOSFET单管并联痛点的解决出路 SiC

从外资IGBT模块厂商拒不承认自己IGBT模块有品质问题，并且篡改实验报告，最终被国内头部电力电子厂商的功率器件专家团队拆穿该外资IGBT模块厂商报告造假，最终促使该外资知名IGBT模块厂商承认造假并

英飞凌与富士等外资品牌IGBT模块大幅度降价策略的本质与深层危机分析 英飞凌、富士等外资品牌IGBT模块在中国市场掀起了降价超过30%的IGBT模块价格战，其背后的逻辑不仅是市场份额争夺的“回光返照”

进入2025年以来，英飞凌、富士等外资品牌通过降价超过30%的价格战绞杀国产功率模块，面对英飞凌、富士IGBT模块如此大幅度的降价，国产功率模块（如SiC碳化硅模块和IGBT模块）需从技术突破、成本优

国产碳化硅MOSFET设计公司此前通过参数虚标、牺牲可靠性换取市场噱头的宣传策略已难以为继，其核心原因可归结为技术短板暴露、市场信任崩塌、行业生态重构、质量事故频发以及客户认知大幅度提升等多重因素的叠

2025年碳化硅（SiC）功率器件设计公司倒闭潮反映了行业加速洗牌的必然趋势，其背后是技术、资本、供应链和市场需求的多重挑战。而“SiC模块批量上车业绩”成为企业生存基础的核心逻辑，与碳化硅器件应用市

国产650V碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 在性价比上能够全面超越超结MOSFET（SJ MOSFET），倾佳电子杨茜分析这一现象背后涉及

倾佳电子杨茜提出基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) BMF240R12E2G3模块的50kW数据中心HVDC电源系统设计 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力

碳化硅（SiC）逆变焊机全面取代老式IGBT焊机的主要原因在于其显著的技术优势和经济性提升，特别是焊接质量的提升可以通过碳化硅（SiC）高频特性和系统效率改进等多方面实现。倾佳电子杨茜具体分析如下：