首页
AI Coding
NEW
沸点
课程
直播
活动
AI刷题
APP
插件
搜索历史
清空
创作者中心
写文章
发沸点
写笔记
写代码
草稿箱
创作灵感
查看更多
会员
登录
注册
用户5959439927219
掘友等级
获得徽章 0
动态
文章
专栏
沸点
收藏集
关注
作品
赞
17
文章 17
沸点 0
赞
17
返回
|
搜索文章
赞
文章( 17 )
沸点( 0 )
英飞凌 | 功率半导体驱动电源设计（一）综述
工业应用中，功率半导体的驱动电源功率不大，设计看似简单，但要设计出简单低成本的电路并不容易，主要难点有几点： 1、电路要求简洁，占用线路板面积要小
英飞凌创新之作：顶部散热器件，解锁OBC设计功率密度新高度
在电动汽车（EV）领域，OBC设计的一个关键目标是提升功率密度，因为更轻的产品会给汽车减重从而有利于增加续航里程。
功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数
在功率器件的热设计基础系列文章《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》和《功率半导体芯片温度和测试方法》分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法，用的测温仪器是热电偶。。。
功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目
11月5日，英飞凌科技CoolSiC™ MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖“年度高性能无源/分立器件”，再次展现了
个人成就
文章被点赞
4
文章被阅读
33,210
掘力值
1,954
关注了
0
关注者
2
收藏集
0
关注标签
0
加入于
2023-05-14
