InGaAs短波红外（SWIR）阵列全球市场总体规模
短波红外波段的探测器在空间遥感、夜视、温度测量等领域具有重要的应用价值和前景目前，该波段范围的探测器除了使用传统的碲镉汞和锑化物红外材料以外，铟镓砷（InGaAs）材料被认为是制作短波红外探测器的优良材料，采用它制作的短波红外探测器截止波长约为1.7μm，具有高吸收系数、高迁移率和高探测率等优势。
本报告只统计InGaAs短波红外（SWIR）线列和InGaAs短波红外（SWIR）面阵。
据QYResearch调研团队最新报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场报告2025-2031”显示，预计2031年全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场规模将达到2.9亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为9.7%。
InGaAs短波红外（SWIR）阵列，全球市场总体规模
如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场研究报告2025-2031”.
全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场前15强生产商排名及市场占有率（基于2024年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）
如上图表/数据，摘自QYResearch报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场研究报告2025-2031”，排名基于2024数据。目前最新数据，以本公司最新调研数据为准。
根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内InGaAs短波红外（SWIR）阵列生产商主要包括SCD、滨松光子（Hamamatsu）、Lynred、Sensors Unlimited、中国电子科技集团公司第四十四研究所、Sony、济物光电、中国兵器工业集团（昆明物理研究所）、国惠光电、中科德芯等。2024年，全球前十强厂商占有大约75.0%的市场份额。
InGaAs短波红外（SWIR）阵列，全球市场规模，按产品类型细分，InGaAs SWIR面阵产品处于主导地位
如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场研究报告2025-2031”.
就产品类型而言，目前InGaAs SWIR面阵是最主要的细分产品，占据大约59%的份额。
InGaAs短波红外（SWIR）阵列，全球市场规模，按应用细分，工业是最大的应用市场，占有36.2%份额。
如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场研究报告2025-2031”.
就产品应用而言，目前工业是最主要的需求来源，占据大约36.2%的份额。
全球主要市场InGaAs短波红外（SWIR）阵列规模
如上图表/数据，摘自QYResearch最新报告“全球InGaAs短波红外（SWIR）阵列市场研究报告2025-2031”.
市场推动因素：
红外探测器发展速度迅猛 短波红外InGaAs平面探测器是国内外的研究热点。我国国家重大战略新一代航天遥感仪器向高空间分辨率、高能量分辨率、高时间分辨率发展，急需高性能的大规模小像元短波红外InGaAs平面探测器。
国产化率增强 国外对InGaAs短波红外（SWIR）阵列的研究起步比较早，许多厂商都已经拥有成熟的系列产品，虽然国内在这方面研究起步较晚，但近几年来取得了很大地进步，与国外的差距逐步减小。
军工电子产业不断发展 随着科技的不断发展，军工电子行业也在不断创新和进步，军工电子行业在国家安全和国防建设中具有重要的作用。发展军工电子行业可以提升国防实力，增强国家安全保障能力。同时，军工电子行业也是国家高技术产业的重要组成部分，对促进经济发展和推动科技进步也具有积极的作用。
市场制约因素：
宏观环境变化的风险 军工领域作为特殊的经济领域，主要受国际环境、国家安全形势、地缘政治、国防发展水平等多种因素影响。我国长期坚持以经济建设为中心，国防军工投入与世界先进国家有一定差距。若未来国际国内形势出现重大变化，导致国家削减军费支出，调整与本公司产品相关的军费支出预算，可能对行业发展带来不利影响。
研发风险 InGaAs短波红外（SWIR）阵列是研发驱动型行业，制造企业需要不断完善技术并进行产品研究、开发和创新体系。如果未来制造企业技术及产品不能跟上市场前进的步伐或新项目研发失败，将导致盈利降低甚至造成亏损，对企业盈利能力产生重大不利影响。
产品质量风险 InGaAs短波红外（SWIR）阵列产品具有型号多、技术范围广、技术复杂程度高、技术管理难度大等特点。如果生产企业在产品研制过程中出现质量未达标准的情况，将对品牌形象造成不利的影响，导致客户流失，进而对盈利能力产生不利影响。
