组合逻辑电路是指，输出仅由输入信号的状态决定的电路。而时序逻辑电路是指，电路的输出值同时依赖于电路过去的状态和现在的输入，所以时序逻辑电路中含有用于记忆电路状态的存储单元。
RAM 大体上分为两类：静态随机访问存储器（Static RAM, SRAM）和动态随机访问存储器（Dynamic RAM，DRAM）。SRAM 的特点是速度快、造价高，往往用来制作高速缓存，集成在 CPU 里，它的容量一般不会超过几兆字节。DRAM 的特点是速度慢、造价低，计算机中的主存就是 DRAM，单根内存条就可以有十几，甚至几十 G 的容量。
SRAM 存储单元的特点是使用 6 个晶体管来实现。其中两个 P 型 MOS 管和两个 N 型 MOS 管组成两个反相器用于存储信息。还有两个用于控制存储单元是否选通。6 管 SRAM 的结构比触发器简单，速度也比较快。
DRAM 的存储单元使用一个 MOS 管和一个电容实现，其特点是电路相比 SRAM 更加简单，也就更容易大规模集成，成本也更低，但是它的读取速度比较慢。
此文章为7月Day13学习笔记，内容来源于极客时间《编程高手必学的内存知识》
